领域知识库

集成电路

集成电路攻关领域包括：集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。

相关文献

作者：曹磊;夏慧婷;贾姗姗;尹正亚

摘要：基于描述AlGaN/GaN材料异质结中二维电子气(2DEG)浓度与漂移速度的流体动力学方程组,采用有限差分法对一维空间的非线性耦合偏微分方程组进行合适的时间和空间离散,计算场效应晶体管探测器在不同强度和不同频率入射太赫兹信号作用下的暂态响应波形及输出直流电压(漏源极之间的开路电压),并定量分析了在恒定栅源电压作用下探测器的实际输出(非线性响应)与现有的小信号线性理论之间的差异.对正弦电源作用下探测...查看全部>>

具有均匀凹槽势垒结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

作者：田雨;陈永和;代一丹;刘子玉;马旺

摘要：为了改善传统AlGaN/GaN HEMT器件的表面电场、温度分布,提升器件击穿电压和稳定性,提出了一种具有均匀凹槽势垒(UGB)的新型AlGaN/GaN HEM T器件结构.UGB-AlGaN/GaN HEMT结构通过在栅电极和漏电极之间引入均匀分布的凹槽AlGaN势垒,降低了AlGaN层极化强度,导致沟道2DEG浓度下降,形成低浓度的2DEG区域,使器件沟道2DEG分布由均匀分布变成凹槽台阶状分...查看全部>>

基于Neuro-SM的新型HBT晶体管直流特性建模

作者：闫淑霞;张爽

摘要：为在不降低建模设计要求的条件下改进建模方法,提高建模精度,对神经网络空间映射(neuro-space ma-pping,Neuro-SM)直流特性建模方法进行优化,提出了一种适用于异质结双极型晶体管(heterojunction bi-polar transistor,HBT)的新型Neuro-SM模型,该方法在输入映射基础上增加了输出映射神经网络,并将该模型在HBT晶体管实例中进行验证.结果表明...查看全部>>

氧氩比对Ta2O5栅介质薄膜晶体管电学性能的影响

作者：王超;刘芙男;杨帆;张含悦;杨小天

摘要：为了有效提高薄膜晶体管的电学性能,采用了高介电常数的材料代替传统的SiO2作为栅介质.相比传统的SiO2薄膜,Ta2O5薄膜具有较大的介电常数,又能够与传统的半导体制备工艺很好地兼容,有很大潜力成为新一代的栅介质材料,更适用于新一代薄膜晶体管的发展.采用磁控溅射方法制备了Ta2O5薄膜,并以Ta2O5作为栅介质制备了AZO-TFT.研究了氧氩比条件对Ta2O5薄膜性质的影响,以及对AZO-TFT电...查看全部>>

基于微增材技术制造的氧化铟镓锌薄膜晶体管及其性能

作者：张奇;崔西会;方杰;项徽清;刘建国

摘要：薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)是一种重要的有源电子元器件.微笔直写技术作为一种增材制造技术,因其能在三维(3D)曲面基板上直接实现电子元器件的增材制造而备受关注.基于微笔直写的微增材制造技术,采用氧化铟镓锌(IGZO)材料作为有源层,制备了IGZO-TFT器件.在最佳的工艺参数条件下得到的TFT器件迁移率为1.43 cm2/(V·s),开关电流比大于108.该迁移...查看全部>>

磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计

作者：周书星;方仁凤;魏彦锋;陈传亮;曹文彧;张欣;艾立鹍;李豫东;郭旗

摘要：为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×1015 cm–2条件下,并测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气辐照前后的电学特性,获得了辐照前后不同外延结构InP HEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随...查看全部>>

基于MATLAB的集成电路储能焊封装能量分布研究

作者：王旭光;杨镓溢;江凯;邹佳

摘要：气密性是集成电路封装中的一项重要技术指标,对于集成电路的可靠性使用具有重要作用.就气密性封装工艺中的储能焊封装技术进行了讨论,通过对储能焊设备放电过程进行分析及建模,得到了气密性焊接能量与各个工艺参数之间的关系,并利用MATLAB软件进行了模拟计算.结合具体实验,验证了理论建模及模拟的正确性,对于储能焊焊接的工艺参数设定及优化具有一定的指导意义.

基于ACPL-32JT输出电源电压偏差的解决方案研究

作者：丁祥根;钱如峰

摘要：针对ACPL-32JT隔离光耦驱动芯片高集成度所带来的驱动隔离电源输出电压偏差大、不可调的问题,对其实际应用的电路参数进行了修正.通过对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)门极驱动导通电压的测试验证,证明了修正后的电路能够有效地解决输出电压偏差大的问题,使电机控制器在批量生产过程中的稳定性与可靠性得到了有效的保障.

抑制或消除RC-IGBT回跳现象的技术发展概述

作者：杨贺

摘要：逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)以其良好的软关断特性、短路特性以及良好的功率循环特性等优点,成为现在半导体功率器件技术领域研究的热点.RC-IGBT在拥有众多优点的同时,最典型的问题就是电压回跳现象,如何抑制或消除器件开启初期固有的回跳现象是RC-IGBT器件领域的技术关键.通过对RC-IGBT领域的国内外专利申请进行整理、分析,具体介绍了解决RC-IGBT器件回跳问题的五个主要技术分支...查看全部>>

智能电网无功补偿分级投切的仿真研究

作者：欧志新

摘要：随着用电线路损耗和电能波动等现象的发生,对用电传输环节进行无功补偿成为一种减少电能损耗的常见方式.而传统的电能补偿需要人工计算和手动干预,增加了误差和操作的复杂度.针对以上问题,提出一种基于补偿电路晶体管式的分级投切自动补偿方法,可以有效地解决补偿电路中出现的过电压和过电流问题.通过仿真模型预测该方法能抑制谐波干扰,实现智能电网在线运行监测和设备参数动态自动补偿,在改善电网质量和电能存储等方面效果...查看全部>>