面向SiC高温集成电路的BJT工艺与性能仿真设计

高温半导体器件自20世纪70年代迅猛发展，基于传统硅（Si）材料的高温半导体器件在性能上已逐渐接近其理论极限。碳化硅（SiC）材料被认为是第三代半导体材料中最有发展前景的材料之一。目前，国内外对该材料的器件仿真大多为结构仿真，工艺仿真方面的工作较少。本文基于主流半导体TCAD仿真软件，针对4H-SiC BJT器件提出一种新型双发射极器件结构模型，并首次使用Sprocess工具对器件进行工艺建模，模拟实际器件制备过程中的工艺流程，包括淀积、刻蚀、外延生长、光刻等工艺步骤，逐层生成BJT器件，在工艺仿真基础上对BJT器件的高温性能进行测试，为后续4H-SiC BJT的实际生产提供理论依据。