基于大面积半金属碲化铂的高性能太赫兹探测器OA
High-performance terahertz detectors based on large-area semimetallic platinum telluride(PtTe2)
太赫兹(THz)探测器是实现光电转换的核心,是现代信息社会的基础之一.基于CVD法生长了大面积PtTe2薄膜,制备了不同沟道长度的太赫兹探测器.对器件的测试结果表明,器件响应与偏置电压和功率呈线性相关,响应率与沟道长度和频率呈负相关.器件出现的特征与基于电磁诱导势阱(EIW)效应的计算结果一致.基于EIW效应的器件具有～7.6 μs的快速响应时间,在有限偏置下的噪声等效功率(NEP)优于7.9×10-15 W/Hz0.5,比探测率D*优于9×1010 cm·Hz0.5/W,优于目前已报道的基于半金属PtTe2的探测器.
Terahertz(THz)detectors,which play a pivotal role in photoelectric conversion,are essential compo-nents in modern information society.Through chemical vapor deposition(CVD),large-area PtTe2 thin films were synthesized,allowing for the fabrication of THz detectors with varying channel lengths.Characterization re-sults demonstrate that the device response is linearly dependent on both bias voltage and incident power,while the responsivity is inversely proportional to channel length and operational frequency.These findings align with theo-retical calculations based on the electromagnetic induced well(EIW)mechanism.Notably,EIW-based devices exhibit a rapid response time of approximately 7.6 μs,with a noise equivalent power(NEP)below 7.9×10-15 W/Hz0.5 and a specific detectivity(D*)exceeding 9×1010 cm·Hz0.5/W under limited bias conditions.These perfor-mance metrics surpass those of previously reported semimetallic PtTe2-based detectors.
黄德宝;周炜;黄敬国;邱琴茜;江林;姚娘娟;高艳卿;黄志明
上海大学 微电子学院,上海 200444||中国科学院上海技术物理研究所 红外科学与技术全国重点实验室,上海 200083中国科学院上海技术物理研究所 红外科学与技术全国重点实验室,上海 200083中国科学院上海技术物理研究所 红外科学与技术全国重点实验室,上海 200083中国科学院上海技术物理研究所 红外科学与技术全国重点实验室,上海 200083中国科学院上海技术物理研究所 红外科学与技术全国重点实验室,上海 200083中国科学院上海技术物理研究所 红外科学与技术全国重点实验室,上海 200083中国科学院上海技术物理研究所 红外科学与技术全国重点实验室,上海 200083上海大学 微电子学院,上海 200444||中国科学院上海技术物理研究所 红外科学与技术全国重点实验室,上海 200083
数理科学
太赫兹探测器碲化铂电磁诱导势阱
terahertzdetectorsplatinum tellurideelectromagnetic induced well
《红外与毫米波学报》 2026 (3)
366-373,8
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