构建肖特基势垒并增强C@ZnO/Sn@GaN界面极化效应以实现高性能电磁波吸收OA
复合材料的组成和结构设计对于提升电磁波吸收(EMWA)性能至关重要。为了在实现更可控的微观形貌调控的同时,整合组成设计以获得更宽频带的EMWA性能,本文利用碳纳米管(CNs)的简易制备工艺和良好的分散性。采用水热合成法,在CNs表面包覆ZnSn(OH)_(6)和γ-Ga_(2)O_(3)。随后,高温煅烧将ZnSn(OH)_(6)转化为ZnO/Sn异质结,同时将γ-Ga_(2)O_(3)转化为GaN,构建了多维复合结构,并在金属与半导体接触界面引入了肖特基势垒。通过优化电磁波损耗机制和阻抗匹配特性,最终得到的C@ZnO/Sn@GaN复合材料在2.6 mm处实现了-48.07 dB的最小反射损耗(RL_(min)),在2.2 mm处实现了6.32 GHz的最大吸收吸收频率(EAB_(max))。由于其独特的结构和组成,该复合材料展现出优异的耐腐蚀性,为拓展其应用领域提供了宝贵的思路。本研究采用简单的水热法和高温煅烧法成功构建了一系列具有多组分异质界面的复合材料,优化了纯碳材料的高介电性能。此外,肖特基势垒的引入改变了电子传输特性,进一步增强了材料的电磁波吸收能力。
吴广荣;朱佳慧;郭小萌;张昌淼;何梦婷;邱华;马冬威
湖北汽车工业学院汽车材料学院,湖北十堰442002 青岛恒兴科技学院,山东青岛266100青岛大学材料科学与工程学院,山东青岛266071青岛大学材料科学与工程学院,山东青岛266071湖北汽车工业学院汽车材料学院,湖北十堰442002湖北汽车工业学院汽车材料学院,湖北十堰442002西北工业大学化学化工学院,陕西西安710072湖北汽车工业学院汽车材料学院,湖北十堰442002
化学化工
阻抗匹配半导体介电损耗异质结构电磁波吸收
《物理化学学报》 2026 (8)
P.178-196,19
国家自然科学基金(52301192)山东省自然科学基金(ZR2024QE313)中国博士后科学基金(2024M761554)的资助。
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