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B_(2)O_(3)替代RO对芯片封装用无碱铝硼硅玻璃基板结构和性能的影响OA

中文摘要

随着玻璃基板在先进封装领域的应用拓展以及玻璃通孔(TGV)技术的快速发展,低损耗、高强韧、热膨胀系数(CTE)可调、大尺寸及高质量的玻璃基板正逐渐成为先进封装产业升级与TGV技术应用的核心材料。以无碱铝硼硅玻璃为研究对象,探讨化学组成中B_(2)O_(3)替代RO(CaO+MgO)对玻璃结构和性能的影响。研究结果表明,随着B_(2)O_(3)的摩尔分数与RO的摩尔分数之比R的增加,玻璃介电常数、介电损耗、CTE、维氏硬度单调下降,弹性模量单调上升,化学稳定性持续下降,且这些性能变化可能与玻璃分相倾向增强有关;玻璃网络在R=1时最致密,此时,膨胀软化点、退火点、玻璃化转变温度、应变点达到最大值。

张兴治;赵志永;刘亚茹;刘正;李佳昊;田英良

北京工业大学材料科学与工程学院,北京100124 平板显示玻璃工艺技术国家工程研究中心,陕西咸阳712023北京工业大学材料科学与工程学院,北京100124 平板显示玻璃工艺技术国家工程研究中心,陕西咸阳712023中国国检测试控股集团股份有限公司,北京100024北京工业大学材料科学与工程学院,北京100124 平板显示玻璃工艺技术国家工程研究中心,陕西咸阳712023北京工业大学材料科学与工程学院,北京100124 平板显示玻璃工艺技术国家工程研究中心,陕西咸阳712023北京工业大学材料科学与工程学院,北京100124 平板显示玻璃工艺技术国家工程研究中心,陕西咸阳712023

信息技术与安全科学

先进封装玻璃基板无碱铝硼硅玻璃理化性能

《电子与封装》 2026 (7)

P.23-30,8

河南重大科技项目(241100210200)国家重点研发计划(2022YFB3603301)。

10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0130

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