玻璃基先进封装关键电镀工艺及其电镀质量控制综述OA

随着人工智能(AI)与高性能计算(HPC)技术的快速发展,算力芯片对更高互连带宽、更高集成密度以及更大封装规模提出了迫切需求。传统基于硅中介层的Co Wo S封装技术已逐渐接近其物理尺寸与制造成本极限,亟需面向大规模芯片集成的可靠先进封装解决方案。玻璃基板由于具有与硅接近的热膨胀系数、优异的尺寸稳定性及表面平整度,同时易于获得大尺寸方形基板,在兼容半导体工艺的前提下,展现出在百毫米级AI/HPC芯片封装中的显著优势,被认为是硅基中介层的潜在替代方案。电镀作为先进封装中最重要的金属化工艺之一,其对基板材料适应性强,使得硅基晶圆级电镀工艺能够延续至玻璃基板的板级金属化制造过程。系统梳理与综述了玻璃基板先进封装中的关键金属化电镀工艺,重点总结了贯穿玻璃通孔(TGV)、重布线层(RDL)及凸点(bump)在玻璃基板上的电镀金属化工艺及其电镀质量控制方面的研究进展,归纳分析了电镀缺陷形成机理以及影响电镀效果的关键前后处理工艺。在此基础上,简要概述了玻璃基先进封装技术的应用现状。