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GaN基激光器高密度驱动电源设计与软开关优化OA

中文摘要

作为宽禁带半导体材料的典型代表,氮化镓(GaN)凭借其出色的物理特性与性能指标,在高温、高功率及高频应用场景中呈现出突出优势。该文设计一款基于GaN的恒流激光驱动电源,该电源具备高输入电压、高输出电压、高频工作及高功率密度特性,并通过在电感电流峰值时刻关断、过零点时刻开通的策略,实现GaN的软开关控制。为进一步验证所提控制技术的有效性,该文研制原理样机并开展相关实验;仿真分析与原理样机测试结果表明,该控制方法不仅具备可行性,还能使驱动电源获得较高的转换效率。

王一凡;陈海涛;苗伟童

上海空间电源研究所,上海200245 空间电源技术全国重点实验室,上海200245上海空间电源研究所,上海200245 空间电源技术全国重点实验室,上海200245 电子科技大学,成都611731上海空间电源研究所,上海200245 空间电源技术全国重点实验室,上海200245

信息技术与安全科学

激光器GaN高密度驱动电源恒流源软开关

《科技创新与应用》 2026 (21)

P.1-4,4

10.19981/j.CN23-1581/G3.2026.21.001

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