2英寸氮化铝单晶应力模拟、热键合及生长研究OA
本文围绕2英寸(1英寸=2.54 cm)氮化铝(AlN)单晶的应力调控、热键合工艺及高质量厚晶生长开展计算仿真和单晶生长研究。精准揭示了不同衬底材料对AlN单晶施加的降温热应力机理,阐明金属衬底特性与晶体残余应力的内在关联,为AlN单晶生长的衬底筛选提供理论支撑;在此基础上基于仿真模拟技术,创新实现了2英寸AlN低应力热键合工艺,解决了AlN籽晶高温热键合面临的应力开裂难题;同时,结合仿真与结构优化设计成功突破厚晶生长技术,制备出厚度达10.8 mm的2英寸高质量AlN单晶,晶片(002)高分辨X射线衍射(HRXRD)摇摆曲线半峰全宽低至51.67″。
高飞;辛倩;王英民;程红娟;王增华
中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220 山东大学集成电路学院,济南250100 新型半导体晶体材料技术重点实验室,天津300220山东大学集成电路学院,济南250100山西烁科晶体有限公司,太原030062中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220 新型半导体晶体材料技术重点实验室,天津300220中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220 新型半导体晶体材料技术重点实验室,天津300220
数理科学
氮化铝单晶应力抑制有限元分析热膨胀系数物理气相传输热键合
《人工晶体学报》 2026 (6)
P.878-885,8
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