单层InN在多向应变下的结构演化与电子性质OA
二维氮化铟(InN)在柔性电子领域具有广阔的应用前景.在实际应用中,该材料会受到多种形式的应变作用,从而影响其性能.因此,理解其在各种应变条件下的结构和电子演化,对于推动其实际应用具有重要意义.利用第一性原理计算方法,系统研究了单层InN在不同应变模式下的力学与电子响应行为.研究表明,InN的面内特性呈现显著的各向异性,这源于不同晶向的键合特性.大的应变可以减小带隙,直至发生半导体-金属转变.本研究揭示了变形单层InN在复杂应变下的结构演化机制与规律,为应变工程半导体器件的开发提供了重要的理论依据.
陈军军;田辉;闵楠;沈龙海
沈阳理工大学理学院,沈阳110159沈阳理工大学理学院,沈阳110159沈阳理工大学理学院,沈阳110159沈阳理工大学理学院,沈阳110159
数理科学
单层氮化铟应变效应第一性原理计算电子性质
《物理学报》 2026 (14)
P.277-283,7
国家自然科学基金(批准号:12274304,12404060)辽宁省博士启动基金(批准号:2024-BS-115)辽宁省教育厅科学研究经费(批准号:LJ212410144038)沈阳理工大学2024年引进高层次人才科研支持经费(批准号:1010147001325)资助的课题。
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