基于VGa-nH络合物缺陷调控二维β-Ga_(2)O_(3)p型导电性的理论研究OA
由于β‑Ga_(2)O_(3)价带平坦,导致p型掺杂难以实现。本文基于第一性原理计算研究了V_(Ga)‑nH络合物缺陷对二维β‑Ga_(2)O_(3)材料p型导电性的影响规律。研究发现,V_(Ga)‑nH络合物缺陷在二维β‑Ga_(2)O_(3)中普遍呈现出不同程度的p型特性,其中V_(Ga)‑3H和V_(Ga)‑4H络合物缺陷的p型缺陷形成能最低,且能级位置较低,位于价带顶(VBM)上方0.16—0.26 eV.在此基础上,进一步引入银(Ag)、镁(Mg)、锌(Zn)等元素后,V_(Ga)‑3H,V_(Ga)‑4H络合物缺陷的p型导电性更显著,其中V_(Ga)‑3H‑Ag络合物缺陷的跃迁能级位于VBM上方0.006 eV(6 meV)处,且该络合物缺陷具备较高热力学稳定性,属于一种具有高效p型导电能力的浅能级缺陷,该结论为二维β‑Ga_(2)O_(3)的有效p型掺杂制备提供了新的理论依据.
苗瑞霞;王嘉琪;姬祥;杨行行;张德浩;尹承睿;陈钰涵;侯银龙
西安邮电大学,西安710121西安邮电大学,西安710121西安邮电大学,西安710121西安邮电大学,西安710121西安邮电大学,西安710121西安邮电大学,西安710121西安邮电大学,西安710121西安邮电大学,西安710121
数理科学
第一性原理二维β-Ga_(2)O_(3)络合物缺陷本征缺陷
《物理学报》 2026 (13)
P.321-330,10
国家自然科学基金(批准号:62405245)资助的课题。
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