硅晶圆上散热微通道的单片生长OA
微通道散热技术以其体积小、散热效率高的特点,成为应对芯片散热挑战的重要技术之一.利用分子束外延生长技术,本研究提出了一种硅晶圆上制备微通道的新方法:在具有周期性脊状结构的图案化硅衬底上同质外延生长硅薄膜,形成分立的微纳孔洞阵列,再通过原位高温退火使其融合为增大尺寸的埋层微通道.该方法结合图形化衬底的灵活性与外延生长的原子级精准制造,实现了对微通道尺寸、分布及埋藏深度的可控调节.本文系统研究了不同退火时间下微通道的演化过程,结合有限元模拟分析了结构参数对其力学稳定性的影响,并成功制备出宽度达130μm的微通道结构.
周新宇;韦文奇;明铭;刘方泽;张建军
中国科学院物理研究所,纳米物理与器件重点实验室,北京100190 中国科学院大学,北京100049中国科学院物理研究所,纳米物理与器件重点实验室,北京100190中国科学院物理研究所,纳米物理与器件重点实验室,北京100190中国科学院物理研究所,纳米物理与器件重点实验室,北京100190 中国科学院大学,北京100049中国科学院物理研究所,纳米物理与器件重点实验室,北京100190 中国科学院大学,北京100049
信息技术与安全科学
分子束外延微通道芯片散热
《物理学报》 2026 (13)
P.341-345,5
国家自然科学基金(批准号:62225407,92565304)国家科技创新2030-重大项目(批准号:2021ZD0302300)资助的课题。
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