基于β-Ga_(2)O_(3)的紫外日盲光电探测器研究进展OA
氧化镓(Ga_(2)O_(3))因其超宽禁带(4.9 eV)显著优于硅,被誉为第四代半导体材料。其带隙对应于280 nm波长的紫外光频率,仅对日盲波段光子敏感,而对波长大于280 nm的紫外、可见及红外光均呈透明特性,因而具备优异的选择性探测能力,在军事与民用领域展现出广阔应用前景,受到学术界广泛关注。综述了基于β-Ga_(2)O_(3)的紫外日盲光电探测器的最新研究进展,系统介绍了Ga_(2)O_(3)的基本物理特性、光电探测器的关键性能参数及其典型器件结构。最后,总结了当前该类探测器在材料生长、器件设计与性能优化方面所面临的挑战,并对未来发展方向进行了展望。
张宇航;陈秋实;赵伟玮;杨昉;邴单;刘宏微
南京师范大学物理科学与技术学院,江苏南京210023南京师范大学物理科学与技术学院,江苏南京210023南京师范大学物理科学与技术学院,江苏南京210023南京师范大学物理科学与技术学院,江苏南京210023南京工业大学浦江学院,江苏南京211222南京师范大学物理科学与技术学院,江苏南京210023
信息技术与安全科学
氧化镓(Ga_(2)O_(3))日盲紫外光电探测器器件结构
《电子器件》 2026 (3)
P.481-493,13
国家重点研发计划项目(2024YFB3211701)国家自然科学基金项目(62404105,12274234,U25A20511)2024年江苏本科高校“理工类公共基础课程教学改革研究”专项课题项目(2024LGJK061)。
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