十二烷基苯磺酸对锗CMP速率的影响OA

针对锗(Ge)化学机械抛光(CMP)过程中高去除速率(RR)与低静态腐蚀速率(SER)难以兼顾的问题,在pH=9.8的硅溶胶-双氧水体系抛光液中引入阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸(DBSA),系统研究其对Ge的RR和SER调控作用。通过抛光实验、静态腐蚀测试、表面张力与Zeta电位测试,并结合电化学分析、X射线光电子能谱(XPS)及密度泛函理论(DFT)计算,系统表征与分析了DBSA在该抛光液体系及Ge表面的作用机制。结果表明,适量添加DBSA可显著改善抛光液的润湿性能和磨料分散稳定性。随着DBSA质量分数增大,RR呈现先增后减的变化趋势,在质量分数为0.2%时达到峰值512.8 nm/min;SER则从14.96 nm/min持续降至8.84 nm/min。该体系在不引入金属离子的条件下,实现了高RR与低SER的协同优化,具有良好的工艺可调性和应用潜力,为Ge CMP中表面活性剂的精准设计提供了重要参考。