面向截止频率提升的GaAs SBD器件仿真设计OA
Simulation and design of GaAs SBD targeting cutoff frequency enhancement
围绕提升GaAs SBD器件的动态截止频率(fcd)这一关键参数,分别开展了掺杂浓度和有源层厚度对fcd 影响的量化研究,解析了不同N-GaAs掺杂浓度和层厚度下器件的电容、电阻和fcd 特性.研究表明:掺杂浓度(固定有源层厚度)和有源层厚度(固定掺杂浓度)均会引起fcd 的先升高后降低现象,这一变化规律主要受电容调制比(Cratio)的影响.本文通过对fcd 的量化讨论,揭示了串联电阻和结电容两个常规因数外,Cratio 对fcd 关键影响,并给出了4种实现高fcd 的结构参数设计优值,为后续器件设计提供了理论基础和指导.
To quantitatively enhance the dynamic cutoff frequency(fcd)of GaAs Schottky Barrier Diode(SBD)devices,we systematically investigate the effects of doping concentration and active layer thickness on fcd,and analyze the capacitance,resistance,and fcd characteristics of devices under various N-GaAs doping concentrations and layer thicknesses.The results demonstrate that both doping concentration(with fixed active layer thickness)and active layer thickness(with fixed doping concentration)induce an initial increase followed by a decrease in fcd,a behavior primarily governed by the capacitance modulation ratio(Cratio).Through quantitative discussion of fcd,this study reveals the critical influence of Cratio on fcd beyond the two conventional factors of series resistance and junction capacitance,and provides four sets of optimal structural parameter designs for achieving high fcd,offering theoretical foundation and guidance for subsequent device design.
林耕鑫;陈麒宇;康凌风;邓泽佳;陈健中;曾建平
中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621999||中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川 成都 610299中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621999||中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川 成都 610299中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621999||中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川 成都 610299中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621999||中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川 成都 610299中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621999||中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川 成都 610299中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621999||中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川 成都 610299
信息技术与安全科学
肖特基二极管动态截止频率N-GaAs掺杂浓度N-GaAs层厚度串联电阻结电容
Schottky Diodedynamic cutoff frequencyN-GaAs doping concentrationN-GaAs layer thicknessseries resistancejunction capacitance
《太赫兹科学与电子信息学报》 2026 (5)
574-579,6
国家自然科学基金资助项目(62074139)中国工程物理研究院院长基金资助项目(YZJJZQ2023014)
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