基于Simulink-COMSOL的IGBT结温计算方法OA

为准确分析绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)运行时的温升特性,提出一种基于Simulink-COMSOL的IGBT结温计算方法。在Simulink中构建三相电流-器件导通时序的动态损耗模型,将损耗结果作为空间热源导入COMSOL进行三维瞬态温度场求解。以斯达半导体的GD1400HFX170P2S模块为例构建结温仿真模型,同时搭建稳态导通实验电路模拟模块工作时的发热情况,开展温升试验,分析模块上桥臂和下桥臂单个芯片的温升规律。仿真和试验结果表明,所提仿真模型与试验结果在不同输入电流下的最大温度误差在2.7%以内,验证了该计算方法的有效性。