基于深能级瞬态谱的InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器能带不连续性表征OA
锑化物光电器件为2—4μm中红外波段提供了小型化高效率光源解决方案,对气体检测、激光医疗等工业与民生领域技术升级具有重要推动作用.随着新型锑化物激光器的快速发展,应变作用下多元锑化物合金能带结构的精准表征成为器件设计工具迭代的关键瓶颈,尤其InGaSb/AlGaAsSb量子阱的压应变导带底与价带顶偏移量缺乏实际观测数据支撑.本文采用深能级瞬态谱(deep level transient spectroscopy,DLTS)技术结合光致发光(photoluminescence,PL)测试,研究了该量子阱的能带不连续性.DLTS测试测得导带带阶差为0.352 eV,结合PL测试结果计算出价带带阶差为0.156 eV.在DLTS谱中观测到少子信号峰,证实为量子阱在波导层中的电子陷阱;在150 K附近检测到多子信号峰,推测该信号峰与量子阱的空穴发射过程相关.本研究为锑化物光电器件的能带工程设计与缺陷调控提供了关键实验依据.
陈益航;石建美;耿峥琦;曹钧天;闻皓冉;张恩泉;李宗裔;钟云翔;张启智;吴东海;徐应强;倪海桥;杨成奥;牛智川
中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049
信息技术与安全科学
锑化物激光器深能级瞬态谱量子阱
《物理学报》 2026 (8)
P.152-159,8
北京市科技新星计划(批准号:20240484621)中国科学院基础科研领域稳定支持青年团队计划(批准号:YSBR-112)山西省揭榜挂帅项目(批准号:202201030201009)资助的课题。
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