退火处理对MIM结构Al2O3薄膜电容性能的影响OA
Effect of annealing treatment on the performance of MIM structure Al2O3 thin film capacitors
氧化铝是一种应用于高密度 MIM 电容器的高 k 材料,具有很大的禁带宽度和良好的热稳定性,可有效减小漏电流.采用电子束蒸发制备了氧化铝薄膜,制备了 10 nm Al2O3 金属-绝缘体-金属(MIM)电容,并对其未退火,250℃、300℃及350℃氮气氛围退火后的 MIM 电容进行了电容-电压(C-V)和电流-电压(I-V)特性曲线测试.实验结果表明:300℃退火可使 MIM 电容实现最优综合性能,实现了二次非线性电压特性参数降低 85%,漏电流降低 2 个数量级以上,进而有效改善了薄膜电容电学性能.
Alumina is a high-k material that can be used in high-density MIM capacitors.It has a large bandgap and good thermal sta-bility,and can effectively reduce leakage current.Alumina film was prepared by electron beam evaporation,and 10 nm Al2O3 metal-insulator-metal(MIM)capacitors were prepared.The capacitance-voltage(C-V)and current-voltage(I-V)characteristic curves of the MIM capacitors without annealing,250℃,300℃,and 350℃nitrogen atmosphere annealing were tested.The experiment shows that 300℃annealing can achieve the best comprehensive performance of MIM capacitors,reduces the secondary nonlinear voltage characteristic parameters by 85%,and the leakage current by more than two orders of magnitude,thereby effectively improving the electrical performance of thin film capacitors.
万斌;李海鸥;曾理郡;刘兴鹏
桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室,广西 桂林 541004桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室,广西 桂林 541004桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室,广西 桂林 541004桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室,广西 桂林 541004
信息技术与安全科学
氧化铝MIM电容退火电子束蒸发漏电流
aluminaMIM capacitorannealingelectron beam evaporationleakage current
《桂林电子科技大学学报》 2026 (2)
171-176,6
国家自然科学基金(62174041)桂林市重大专项计划(20220101)
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