阻变存储器:从物理机理到集成应用OA
阻变存储器(resistive random-access memory,RRAM)作为最具潜力的新型非易失性存储技术之一,因其结构简单、功耗低、速度快及良好的可扩展性,正成为突破传统“存算分离”架构下数据搬运瓶颈的重要方向。然而,其大规模应用仍受限于开关均匀性、循环耐久性及集成可靠性等挑战。本文系统综述了RRAM在机理解析、性能调控、工艺集成与系统应用方面的研究进展。从阻变机制出发,总结了工艺优化及电学编程策略改善器件一致性和可靠性的关键方法;在集成层面,系统回顾了RRAM在先进工艺节点下与互补金属氧化物半导体工艺兼容性的探索,以及高密度三维集成方面的最新进展;在应用方面,重点分析了RRAM在高能效存算一体、类脑计算、智能感知及安全芯片中的发展趋势。面向未来,本文指出需在机理-材料-架构层面开展跨尺度协同创新,以支撑智能计算与信息技术融合发展中的战略目标。
刘琦;陈超;陈沛;张续猛
复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室,上海200433 复旦大学集成电路与微纳电子创新学院,上海200433 复旦大学芯片与系统前沿技术研究院,上海200433复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室,上海200433 复旦大学集成电路与微纳电子创新学院,上海200433 复旦大学芯片与系统前沿技术研究院,上海200433复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室,上海200433 复旦大学集成电路与微纳电子创新学院,上海200433 复旦大学芯片与系统前沿技术研究院,上海200433复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室,上海200433 复旦大学集成电路与微纳电子创新学院,上海200433 复旦大学芯片与系统前沿技术研究院,上海200433
信息技术与安全科学
阻变存储器物理机理性能调控三维集成存内计算神经形态计算
《国防科技大学学报》 2026 (2)
P.331-348,18
国家自然科学基金资助项目(T2293732,62374040)。
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