硅基Sb_(2)Se_(3)相变材料非易失性电控光开关OA
为解决硅基光子集成电路因热光/载流子效应调控机制导致的器件尺寸大、静态功耗高及易失性问题,设计了2种基于硅基Sb_(2)Se_(3)相变材料的非易失性电控光开关结构——非对称方向耦合器(ADC)与马赫-曾德尔干涉仪(MZI)。通过硅基PIN掺杂电热调制器调控Sb_(2)Se_(3)的晶态。实验结果表明:ADC光开关在1550 nm波长下非晶态与晶态的串扰分别为-11 dB和-22 dB,插入损耗约为0.4 dB与1 dB,耦合长度优化至23.65μm,结构紧凑且具备多级调控能力;MZI光开关的消光比超过14 dB,单次最大调控能耗仅为0.32 mJ,展现出良好的低功耗特性。
余闰;杨岚曌;牛磊;王荣平;吕业刚;徐培鹏
宁波大学信息科学与工程学院,浙江宁波315211宁波大学信息科学与工程学院,浙江宁波315211宁波大学高等技术研究院,浙江宁波315211宁波大学高等技术研究院,浙江宁波315211宁波大学信息科学与工程学院,浙江宁波315211宁波大学信息科学与工程学院,浙江宁波315211 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050
信息技术与安全科学
光开关相变材料多级操作方向耦合器马赫-曾德尔干涉仪
《光通信技术》 2026 (1)
P.65-71,7
国家重点研发计划(2021YFB2801300)资助浙江省自然科学基金(LZ24F050001)资助。
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