外延电阻对深亚微米MOSFET噪声性能的影响OA
Effect of extrinsic resistance on noise performance for deep submicron MOSFET
本文采用噪声相关矩阵法,研究了外电路电阻对深亚微米 MOSFET噪声性能的影响.基于小信号等效电路模型和噪声等效电路模型,推导得到了四个噪声参数的解析闭合表达式.对于栅长40 nm、尺寸为 4×5 µm(栅指数量×单位栅宽)的 MOSFET,仿真结果与实验数据表现出良好的一致性.
This paper investigates the impact of extrinsic resistance on the noise performance of deep submicron MOSFETs(metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor)using the noise correlation matrix method.Analyti-cal closed-form expressions for calculating the four noise parameters are derived based on the small-signal and noise-equivalent circuit models.The results show strong agreement between simulated and experimental data for MOSFETs with a gate length of 40 nm and dimensions of 4×5 µm(number of gate fingers×unit gate width.
高涵祺;金晶;周健军
上海交通大学 集成电路学院/信息与电子工程学院 模拟射频集成电路设计中心,上海 200240上海交通大学 集成电路学院/信息与电子工程学院 模拟射频集成电路设计中心,上海 200240上海交通大学 集成电路学院/信息与电子工程学院 模拟射频集成电路设计中心,上海 200240
数理科学
等效电路MOSFET参数提取噪声模型小信号模型
equivalent circuitsMOSFETparameter extractionnoise modelsmall signal model
《红外与毫米波学报》 2026 (1)
97-102,6
Supported by the National Key R&D Program of China(2020YFB1807301),the National Natural ScienceFoundation of China(2024-MMT-07).
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