基于RISC-V的抗单粒子加固研究OA
在现代电子器件和集成电路设计中,单粒子效应已成为一个不可忽视的问题。基于RISC-V精简指令集架构,采用三模冗余(TMR)和检错纠错(EDAC)技术进行多层次的抗辐射加固。对加固后的电路流片并开展辐照实验。实验结果表明该电路在地球静止轨道(GEO)的单粒子翻转率<1×10^(-4)error/(device·d),单粒子闩锁阈值>75MeV·cm^(2)/mg,验证了抗单粒子翻转和单粒子闩锁加固措施的有效性。
徐文龙;李凯旋;许峥;姚进;周昕杰
中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035
信息技术与安全科学
单粒子翻转单粒子闩锁抗辐射加固
《电子与封装》 2026 (2)
P.60-65,6
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