重复二次曝光工艺在相移掩模制造中的应用研究OA

为降低相移掩模(PSM)制造中的铬残留修补数并实现相位角的可调控制,提出了一种重复二次曝光工艺,旨在评估该改进工艺对特征尺寸与目标值的偏差(CD MTT)和特征尺寸均匀性(CDU)的影响,并进一步分析相位角调节及铬残留数量控制的效果。实验结果表明,经过两次二曝工艺处理后,PSM基板的CD MTT最大变化幅度仅为0.8 nm,且CDU变化极小,表明该工艺在维持尺寸精度的同时,能够保持高度的稳定性。此外,相位角的可调范围约为1°,为光刻工艺的进一步优化提供了新的途径。研究结果表明,重复二次曝光工艺在相位角调节方面具有优势,同时显著减少了铬残留缺陷的数量,展现出在PSM工艺中的广泛应用潜力。