原位X射线表征下金属有机化学气相沉积氮化物外延生长动力学研究进展OA
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体通常采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延方法进行生长,但其复杂的生长动力学及缺陷控制问题仍是制备高质量材料所面临的核心挑战.尤其对于GaN基材料,系统揭示其晶体结构演化规律及外延生长机制,对提升材料质量和器件性能具有重要的科学意义和应用价值.近年来,原位X射线表征技术的快速发展,使研究人员能够实现对外延生长过程的实时监测,深入解析氮化物材料表界面结构的演化过程,从而为材料结构与性能的精准调控提供了可能.借助具有高时空分辨率的同步辐射光源,原位X射线技术已成为研究氮化物生长动力学的重要手段.本文系统回顾了近年来国际上在氮化物半导体原位X射线研究方面的最新进展,重点介绍了原位MOCVD生长系统的构建、原位X射线表征方法的发展与应用,以及外延过程中表界面结构演化的实时观测与动力学分析.最后,结合当前研究热点与挑战,对该领域未来的发展方向进行了展望.
鞠光旭;林祺辉;徐尔骐;王新强;葛惟昆;董宇辉;徐科;沈波
北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871中国科学院高能物理研究所,北京100049中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871
信息技术与安全科学
金属有机化学气相沉积外延生长Ⅲ族氮化物半导体宽禁带半导体原位X射线表征表界面生长动力学同步辐射X射线
《物理学报》 2026 (4)
P.213-233,21
国家重点研发计划(批准号:2023YFE0124600)国家自然科学基金(批准号:62574008)资助的课题。
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