基于局部纳米点调控的类突触非晶态MoS_(2)/TiO_(2)忆阻器OA

忆阻器作为新一代非易失性存储器,可应用于神经形态计算等新型计算范式.TiO_(2)材料因其高介电常数与热稳定性被广泛应用于忆阻器的功能层,然而TiO_(2)基忆阻器仍存在稳定性较差及模拟性能欠优等瓶颈.本文引入非晶态的二维材料MoS_(2)(a-MoS_(2))与非晶态TiO_(2)(a-TiO_(2))构建了异质结结构,获得了超200次循环、高数据保持时间(>10^(4)s)的模拟忆阻器.此外,W/a-MoS_(2)/a-TiO_(2)/Pt器件可通过控制扫描电压实现多级电导调制功能,通过导电机制拟合分析构建了一种基于局部纳米点诱导的导电细丝形成及断裂的物理开关模型,分析了器件实现多级电导调制的物理机制.最后,在W/a-MoS_(2)/a-TiO_(2)/Pt器件上实现了长时程增强与抑制功能.本文设计构建了W/a-MoS_(2)/a-TiO_(2)/Pt异质结结构,为过渡金属氧化物基忆阻器性能改进与应用提供了有效方案.