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集成并联多芯片电流分布测量的SiC半桥功率模块OA

中文摘要

多芯片并联的SiC半桥模块内,芯片电流不均衡容易导致部分芯片过流失效。监测模块内部各芯片电流是实现芯片级保护、故障诊断和主动均流,提高模块可靠性的有效途径。针对模块内部电流分布测量问题,该文研制一种集成芯片级电流测量电路板的SiC半桥模块,该模块集成的电路板在实现全芯片电流测量的同时,提供低电感功率回路(10.5 nH)及驱动回路(上桥8.2 nH、下桥7.8 nH)连接。电路板内部的芯片电流测量线圈高频带宽达163 MHz,瞬态电流测量相对偏差小于3%。单个测量线圈可同时测量SiC芯片开关电流和二极管续流电流,使用芯片数量一半的线圈即可测量所有芯片的电流分布。通过动态特性测试实验,验证并联芯片在不同静态参数和驱动电阻下电流分布测量的准确性和有效性。

曲泽龙;孙鹏;程旭;陈勇;蔡雨萌;张浩然;李学宝;赵志斌

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信息技术与安全科学

SiC半桥模块封装罗氏线圈集成并联芯片电流测量

《中国电机工程学报》 2026 (4)

P.1551-1561,I0021,12

中国南方电网有限责任公司科技项目(030400KC23090017)。

10.13334/j.0258-8013.pcsee.241548

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