DC~6 GHz衰减芯片低热阻的封装技术OA

随着微波通信系统的快速发展,数控(CNC)衰减器在相控阵雷达领域的应用愈发广泛。CNC衰减器由尺寸小、性能优异的衰减芯片级联数控集成,而集成密度的提高与芯片尺寸的缩小,导致衰减芯片的散热难题愈发突出。针对DC~6 GHz频段下衰减芯片封装的低热阻技术需求,文中选用Sn60Pb40、Au80Sn20、Sn96.5Ag3.5及纳米银材料进行封装试验,创新性地采用真空融合焊接与多通道排气烧结工艺,探究不同封装结构对应的工艺曲线,实现了衰减芯片与封装基板之间的低热阻可靠互连,有效提高了芯片的封装可靠性。结果表明:采用纳米银材料封装后的衰减芯片热阻率最低,器件发热量显著减小,从而有效降低热量对芯片的影响,提升其在雷达系统的可靠性。