全球首颗8 Mb SOT-MRAM:从器件突破到晶圆级制造OA

面向人工智能、边缘计算及高可靠嵌入式系统对高速、低功耗与非易失存储的迫切需求,自旋轨道力矩磁随机存储器(SOT-MRAM)成为新一代存储的重要发展方向.北京航空航天大学联合致真存储(北京)科技有限公司在材料、器件、工艺及架构层面开展协同创新,研制全球首颗8 Mb SOT-MRAM芯片.通过自主可控的8英寸制造平台构建了兼容主流CMOS工艺的混合集成技术路线,并在保持亚纳秒级超快写入、超高可靠性与低功耗优势的同时,实现了容量规模化突破.相关成果为SOT-MRAM从技术验证迈向工程化与产业化提供了关键路径,对我国新型存储器产业发展具有重要引领意义.