单/双轴应变对二维MoSi_(2)N_(4)电子结构与光学性质的影响OA
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究单/双轴应变对二维MoSi_(2)N_(4)电子结构与光学性质的影响,结果表明本征MoSi_(2)N_(4)光学吸收曲线在E//x与E//y方向上呈现各向同性.在单/双轴拉应变作用下,MoSi_(2)N_(4)的带隙逐渐变窄,光吸收曲线带边逐渐红移;在单/双轴压应变作用下,其带隙逐渐变宽,光吸收曲线带边逐渐蓝移.总体来看,单/双轴应变均拓展材料的光谱响应范围.值得注意的是,当施加-6%和6%单轴应变时,MoSi_(2)N_(4)的带隙反常变化,光吸收曲线表现出完全的各向异性.本文的研究结果为充分探索MoSi_(2)N_(4)在光电的潜在应用提供理论指导.
冼婧如;黄煜军;李昱霖;熊政燃;曾华东
华南师范大学材料与新能源学院,汕尾516625华南师范大学材料与新能源学院,汕尾516625华南师范大学材料与新能源学院,汕尾516625华南师范大学材料与新能源学院,汕尾516625华南师范大学材料与新能源学院,汕尾516625
数理科学
二维MoSi_(2)N_(4)第一性原理单/双轴应变电子结构光学性质
《原子与分子物理学报》 2026 (4)
P.153-162,10
华南师范大学课外科研金种子培育项目基金(23XZGB05)。
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