LaPO_(4)/g-C_(3)N_(4)异质结的电子性质与原子结合的研究OA
在平面波超软赝势密度泛函计算之上研究了LaPO_(4)/g-C_(3)N_(4)异质结的几何结构、电子状态和原子结合性质.结果表明,LaPO_(4)/g-C_(3)N_(4)异质结有0.292 eV的间接带隙,导带中有0.25 eV的直接能隙,靠近费米能的能带为较轻能带,能级数量较少,价带和导带中含有较重的能带.费米能以下2.8 eV区域,系统状态密度主要由p电子负责,费米能以上2.8 eV区域,系统状态密度主要由d电子负责.p电子完成长波能量吸收,d电子完成短波能量吸收,p电子主要负责导带的带内跃迁.这些行为分别主要由g-C_(3)N_(4)层的p电子,LaPO_(4)层的La的d电子,LaPO_(4)/g-C_(3)N_(4)异质结体中的p电子负责完成.异质结中C和N原子结合较强,La和O原子结合及P和O原子结合较弱.
张飞鹏;柏舒安;张艳峰;路清梅
河南城建学院数理学院建筑光伏一体化技术河南省工程研究中心,平顶山467036河北师范大学化学与材料科学学院,石家庄050024河北师范大学化学与材料科学学院,石家庄050024北京工业大学材料与制造学部,北京100124
化学化工
光电子学光催化材料异质结g-C_(3)N_(4)电子性质
《原子与分子物理学报》 2026 (3)
P.164-172,9
国家自然科学基金(51771003)河北省自然科学基金(B2020205013,B2022205008)。
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