新型透明导电SnO_(2):W/Ag/SnO_(2):W薄膜的制备及其性能研究OA

为了制备出适用于柔性透明电子器件的电极,结合氧化物/金属/氧化物(OMO)结构薄膜和高价态掺钨(W)氧化锡薄膜(Sn O_(2):W)的优点,基于磁控溅射法室温制备不含铟的新型透明导电多层膜—Sn O_(2):W/Ag/Sn O_(2):W,并研究了W掺杂含量对Sn O_(2):W/Ag/Sn O_(2):W多层膜光学和电学性能的影响.结果表明,随着Sn O_(2):W薄膜中W掺杂含量由0 at.%增加至13.74 at.%,Sn O_(2):W薄膜的电子载流子浓度增加,多层膜的面电阻由14.5Ω/sq减小至4.7Ω/sq;而其在可见光范围内的平均透过率随W掺杂含量的增加却呈现出先增大后减小的趋势.最终,基于W含量的优化,在室温下制备出具备优良光学与电学性能的Sn O_(2):W/Ag/Sn O_(2):W薄膜(W掺杂含量为5.57 at.%),其在可见光范围内的平均透过率高达81%,面电阻仅为5.8Ω/sq,且呈现出优异的弯曲应力稳定性(曲率半径大于等于4 mm时弯折10,000次).