二维MoS_(2)和MoSH结构和电子性质的第一性原理研究OA
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了二维单层MoS_(2)和MoSH的结构及电子性质.氢化MoS_(2)形成了新的MoSH结构,结果显示,氢化后的二维结构由直接带隙半导体转变为金属,并且共价性减弱.此外,分别在晶格的a和b轴上施加拉伸和压缩应变,以模拟不同晶格常数的衬底条件下的真实样品生长情况,探究应变对于二维MoSH电子性质的影响.通过分析费米能级处态密度和Mo-d轨道电子态密度来探究加应变前后MoSH电子性质的变化,结果表明拉伸和压缩应变均会降低费米能级处态密度值,且拉伸应变的影响更为显著.
赵爽;鲁奕辰;陶雅乐;刘其军;刘福生;刘正堂
西南交通大学物理科学与技术学院,成都610031西南交通大学物理科学与技术学院,成都610031西南交通大学物理科学与技术学院,成都610031西南交通大学物理科学与技术学院,成都610031西南交通大学物理科学与技术学院,成都610031西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072
数理科学
第一性原理计算MoS_(2)MoSH应变电子性质
《原子与分子物理学报》 2026 (1)
P.150-156,7
国家自然科学基金(12072299)中央高校基本科研业务费专项资金(2682024ZTPY054)。
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