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大尺寸CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)晶体生长和光电性能表征OA北大核心CSTPCD

中文摘要

卤化物钙钛矿材料作为一种新型的半导体材料,具有材料廉价和光电转换性能优异的优点,基于该材料的各类光电器件已经开始逐步应用。虽然多晶薄膜仍然是主要的研究方向,但其具有形态无序、杂质较多的缺点,而单晶具有无晶界、低缺陷的特点,因此基于大尺寸单晶的研究开始被广泛关注。本文设计了一套内外反控温循环过滤生长装置,采用逆温结晶和籽晶相结合的方法制备了直径大于60 mm的CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)单晶,对晶体样品进行了物相、微观形貌、光学和电学性能的研究。该晶体属于立方晶系,空间群为Pm3m;紫外-可见吸收光谱显示吸收截止边约为576 nm,荧光发射谱峰值552 nm;摇摆曲线显示晶体(100)晶面半峰全宽为91.42″。切割抛光后的晶片光响应灵敏,开关比为2.4×10^(4)。

孙元龙;胡子钰;郑国宗;

福建师范大学化学与材料学院,福州350007 中国科学院福建物质结构研究所,福州350002 中国科学院大学福建学院,福州350002中国科学院福建物质结构研究所,福州350002 中国科学院大学福建学院,福州350002

CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)单晶;卤化物钙钛矿;内外反控温循环过滤;晶体生长;光电性能;逆温结晶

《人工晶体学报》 2024 (008)

P.1313-1318 / 6

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