采用对比实验研究了不同温度下的高硅无取向电工钢的氧化行为,利用场发射扫描电子显微镜及其EDS功能观察了经不同温度(1030~1240℃)加热后高硅无取向电工钢氧化层的微观形貌、结构组成及合金元素的偏析现象.结果表明:经高温加热后的高硅无取向电工钢氧化层主要包括4部分,分别为纯氧化铁层、铁橄榄石和氧化铁混合层、富Si区与贫Si区混合层、致密氧化膜层;高温氧化过程中会产生Si成分偏析现象,1240℃时Si的偏析深度可达130μm,不同深度偏析处的Si质量分数相差可达0.9%,且随着温度的降低,偏析程度逐渐减弱,直至消失.
刘云霞;刘晓强;程林;曹瑞芳;刘恭涛;李跃;
首钢智新电磁材料(迁安)股份有限公司,河北迁安064404
金属材料
高硅无取向电工钢;氧化层;Si偏析;铁橄榄石;致密氧化膜
《材料与冶金学报》 2024 (003)
P.264-270,306 / 8
河北省省级科技计划资助项目(20311005D).
10.14186/j.cnki.1671-6620.2024.03.009
评论