用静态气压与流动氮气气氛进行对比实验,探究了反应烧结Si_(3)N_(4)陶瓷中硅粉质量分数对Si_(3)N_(4)陶瓷材料氮化率及力学性能的影响.研究结果表明,当使用静态2 MPa氮气气压对硅粉进行氮化时,氮化率达到97%,明显高于流动氮气气氛下硅粉的氮化率(91%).这说明在使用静态氮气时,较高的气压更有利于氮气的扩散和氮化反应.同时,利用SEM等手段观察静态气压反应烧结Si_(3)N_(4)陶瓷材料,发现当硅粉质量分数大于10%时,Si_(3)N_(4)陶瓷材料表面出现气孔.这是因为随着硅粉质量分数的增加,硅粉在熔融状态下发生团聚现象,这造成了坯体内部再生空隙增加,从而导致Si_(3)N_(4)陶瓷材料的维氏硬度和抗折强度降低.
叶超超;王伟;茹红强;王远鑫;刘家臣;
天津大学材料科学与工程学院,天津300350东北大学材料科学与工程学院,沈阳110819浙江恒基永昕新材料股份有限公司,浙江宁波315500
氮化硅;反应烧结;硅粉
《材料与冶金学报》 2024 (001)
P.48-53,85 / 7
潍坊市科技发展计划项目(2021GX001)。
10.14186/j.cnki.1671-6620.2024.01.008
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