采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能。HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96%。此外,用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管,其发光的电流效率为6.63 cd/A,最佳外量子效率(EQE)为3.83%。
陈晓丽;陈佩丽;卢思;朱艳青;徐雪青;苏秋成;
中国科学院广州能源研究所,广东广州510640
物理学
HF;InP/GaP/ZnS量子点;光学性能;发光二极管
《发光学报》 2024 (001)
P.69-77 / 9
广东省基金与应用基础研究基金项目(2023A1515010345);广东省省级科技计划项目(2023A0505010003);中国科学院技术支撑人才项目(E329850301)。
10.37188/CJL.20230243
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